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            PPKTP Z切基片用于制作PPKTP(周期性极化KTP),拓宽了KTP晶体的应用范围,在400nm~4000nm都可以利用PPKTP通过倍频或和频、差频等方式产生需要的激光波段,目前主要用于产生457 nm, 473 nm, 491 nm, 515 nm, 532 nm, 561 nm, 594 nm, 660 nm及1.5 µm等波段激光,由于可以利用晶体的最大非线性矢量,其转化效率数倍于普通折射率匹配KTP,是近十年来KTP的应用的一个新的方向。
            使用GTR—KTP制作的PPKTP具有较好的抗灰迹效果。
            本公司为PPKTP Z切基片的主要供应商。

            性能指标:

            参数

            规格

            KTP 基片

            单畴KTP, z-cut

            光洁度 

            20/10; 10/5

            平面度

            2l[z-]

            X长度

            10 mm~40mm

            Y长度

            5mm~35mm

            Z厚度

            1.00±0.1mm / 2.00±0.1mm

            表面平行度

            <5′

            Z- 

            Z // Ztrue< 10

            X,Y- 

            3保留一个自然边

            畴向

            单畴距边0.5mm以内允许存在多畴、包裹、崩边;

            多畴晶片以单畴区域计算。

            矫顽场 (室温)

            2.4±0.6kV/mm

                             

            详细描述

            PPKTP Z切基片

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